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杨再兴教授为电子学院师生作报告
   本报青岛讯(电子学院)6月9日,山东大学杨再兴教授应邀为电子学院师生作了题为“高性能三五族半导体纳米线”的学术报告。
   杨再兴介绍了一维纳米材料的合成方法和制备机理,包括三五族纳米线的合成以及优化合成条件,最终得到了以GaSb为沟道层的场效应晶体管,并利用接触印刷法进一步提高了器件的性能。报告会结束后,杨再兴和学院师生进行了交流,回答了师生的提问,并介绍了山东大学微纳电子中心的实验条件。


 
 
 
 
 
     本版责任编辑:高晓华 信箱:gxh@sdust.edu.cn                 版权所有:山东科大报
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